Скорость GaN и мощность SiC: экспериментальный супертранзистор обещает революцию в сфере зарядных устройств

Свобода в один клик! VPN через Телеграмм-бот для России:

Новаторский подход позволил эффективно объединить несочетаемые ранее материалы.

Инженеры из Гонконгского университета науки и технологий в сотрудничестве с тремя другими китайскими научными институтами разработали новый тип транзистора на основе двух передовых полупроводниковых материалов — нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC). Это гибридное устройство, названное HyFET (Hybrid Field-Effect Transistor), объединяет лучшие свойства GaN и SiC, минимизируя их недостатки.

Ранее нитрид галлия и карбид кремния уже нашли широкое применение в силовой электронике благодаря ряду преимуществ по сравнению с традиционным кремнием. Они широко используются, например, в зарядных устройствах для электромобилей и гаджетов. Однако у каждого из этих материалов есть определённые недостатки, которые снижают эффективность приборов.

В частности, подвижность электронов в канале SiC-транзисторов невысока, что ограничивает их быстродействие. А для GaN характерно явление «динамического сопротивления в открытом состоянии», когда это сопротивление зависит от приложенного напряжения.

VPN для России через Телеграмм – обеспечь доступ к любым ресурсам!

Гибридный транзистор HyFET позволяет взять самые сильные стороны обоих материалов. В этом устройстве высокоподвижные электроны в GaN-транзисторе контролируют работу мощного SiC-транзистора. Это даёт возможность добиться высокой частоты переключения (благодаря GaN) при сохранении способности блокировать напряжение в 600 В (благодаря SiC).

По словам Дебдипа Джены, профессора Корнеллского университета, «работа имеет большой потенциал и заслуживает внимания». Однако другие эксперты в области силовой электроники высказывают и более сдержанные оценки, отмечая, что гибридная технология существенно усложняет и удорожает производство, поскольку требует совмещения двух разных полупроводниковых техпроцессов в одном производственном цеху.

Кроме того, с развитием технологии GaN его характеристики могут настолько улучшиться, что отпадёт необходимость в подобных гибридных решениях. По словам профессора Калифорнийского университета Умеша Мишры, большинство преимуществ HyFET можно было бы получить и более дешёвым способом — просто упаковав GaN и SiC транзисторы в один корпус.

Тем не менее, создание первого в мире гибридного транзистора HyFET безусловно является впечатляющим техническим достижением. Прибор уже продемонстрировал очевидные преимущества перед аналогами, а дальнейшее совершенствование технологии лишь улучшит характеристики транзистора и сделает его практически применимым в сфере силовой электроники.

Невидимка в сети: научим вас исчезать из поля зрения хакеров.

Подпишитесь!

Купить VPN в России означает приобретение услуги виртуальной частной сети (VPN), которая обеспечивает безопасное и анонимное подключение к интернету с территории России. Это может быть особенно актуально в свете ограничений и блокировок, применяемых к определённым ресурсам в стране.

Зачем нужен VPN в России?

• VPN позволяет получить доступ к заблокированным сайтам и сервисам, таким как социальные сети, стриминговые платформы и другие ресурсы.
• Использование VPN помогает скрыть ваш IP-адрес и шифровать интернет-трафик, что защищает ваши данные от перехвата.
• VPN помогает сохранить анонимность при серфинге, предотвращая отслеживание вашей интернет-активности как интернет-провайдерами, так и третьими лицами.
• VPN защищает ваши данные при подключении к общественным Wi-Fi, минимизируя риск кражи информации.